褚君浩
    （1938～ ）
 
    我国半导体物理和器件专家。
    日前，备受社会关注的中国科学院2005年院士增选结果揭晓，宜兴籍学者褚君浩成为51名新增中国科学院院士之一，也是宜兴籍中国科学院（中国工程院）两院院士的第21位。

    褚君浩院士是我国半导体物理和器件专家，中国科学院上海技术物理研究所研究员。1945年3月生于江苏宜兴。1966年毕业于上海师范学院物理系，1981年和1984年先后获得中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位。现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任，第十届全国人大代表。

    褚君浩院士长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红探测器的窄禁半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型；发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据；开展了铁电薄膜材料物理和非冷红外探测器研究，研究成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像，为我国物理科学和研究作出了重大贡献。

    褚君浩院士是宜兴籍的第21位两院院士，是百万宜兴人民的光荣和骄傲。